在市場(chǎng)上，MOS管存在的類(lèi)型多的讓你不知道如何選擇，因?yàn)樗吘故且环N產(chǎn)品，會(huì)不斷的被更新并且研發(fā)出來(lái)。而今天，廣州飛虹MOS管廠家為您分享一個(gè)知識(shí)點(diǎn)：讓你清楚什么類(lèi)型的MOS管有著怎么樣的特點(diǎn)，以至于能滿足你的需求。

功率MOS-FET可分成兩類(lèi)：P溝道及N溝道。它有三個(gè)極：漏極（D）、源極（S）和柵極（G）。有一些功率MOS-FET內(nèi)部在漏源極之間并接了一個(gè)二極管或肖特基二極管，這是因?yàn)樵诮油姼胸?fù)載時(shí)，為了防止反電勢(shì)損壞MOS-FET。而這兩類(lèi)MOSFET的工作原理是相同的，僅電源控制電壓的極性相反。 

一、MOS場(chǎng)效應(yīng)管。有增強(qiáng)型和耗盡型兩大類(lèi)，每一類(lèi)有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類(lèi)型。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極：

1、G(Gate);簡(jiǎn)稱(chēng)柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；

2、D(Drain);簡(jiǎn)稱(chēng)漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；

3、S(Source);簡(jiǎn)稱(chēng)源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。

二、優(yōu)勢(shì)：

1、輸入阻抗高，速度可達(dá)百兆以上；

2、工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高（開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒），開(kāi)關(guān)損耗小；

3、功率mosfet可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無(wú)需均流；

4、Mosfet是電壓控制型器件，MOS管因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)，其電路較簡(jiǎn)單；

5、有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且mosfet的輸入比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高，噪聲也小，最適合制作Hi-Fi音響。

功率MOS-FET都是增強(qiáng)型MOS-FET，它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性。近年來(lái)，功率MOS-FET廣泛地應(yīng)用于電源、計(jì)算機(jī)及外設(shè)（軟、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、掃描器等）、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車(chē)電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，MOS管工作于線性范圍，大多數(shù)用作開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。功率MOS-FET都是增強(qiáng)型MOSFET，它具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)特性。

根據(jù)以上對(duì)功率MOSFET特性的分析,其驅(qū)動(dòng)通常要求:

1、觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度；

2、開(kāi)通時(shí)以低電阻力柵極電容充電,關(guān)斷時(shí)為柵極提供低電阻放電回路,以提高功率MOSFET的開(kāi)關(guān)速度；

3、為了使功率MOSFET可靠觸發(fā)導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)高于管子的開(kāi)啟電壓,為了防止誤導(dǎo)通,在其截止時(shí)應(yīng)提供負(fù)的柵源電壓；

4、功率開(kāi)關(guān)管開(kāi)關(guān)時(shí)所需驅(qū)動(dòng)電流為柵極電容的充放電電流,功率管極間電容越大,所需電流越大,即帶負(fù)載能力越大。

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